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MMSZ6V2T1G

MMSZ6V2T1G

참조 용

부품 번호 MMSZ6V2T1G
PNEDA 부품 번호 MMSZ6V2T1G
설명 DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 530,873
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMSZ6V2T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMSZ6V2T1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MMSZ6V2T1G, MMSZ6V2T1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 254.76 KB)
PDFMMSZ5V1T3G 데이터 시트 표지
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MMSZ6V2T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.2V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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SMC Diode Solutions

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 18.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4755PE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±10%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 32.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

CZRF52C3V3

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005/SOD-323F

SMBG5932C/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

14 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 15.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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