MPSH10RLRAG
참조 용
| 부품 번호 | MPSH10RLRAG |
| PNEDA 부품 번호 | MPSH10RLRAG |
| 설명 | RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,164 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MPSH10RLRAG 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MPSH10RLRAG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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MPSH10RLRAG 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 25V |
| 주파수-전환 | 650MHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | - |
| 전력-최대 | 350mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 공급자 장치 패키지 | TO-92-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 10V 주파수-전환 7GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1dB @ 1GHz 이득 13dB 전력-최대 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 90 @ 20mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 70mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 4-MCP |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 4.5V 주파수-전환 40GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 이득 24dB 전력-최대 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 110 @ 30mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 PG-SOT343-4 |
