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MPSH81 TRE

MPSH81 TRE

참조 용

부품 번호 MPSH81 TRE
PNEDA 부품 번호 MPSH81-TRE
설명 RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MPSH81 TRE 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MPSH81 TRE
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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MPSH81 TRE 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)20V
주파수-전환600MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지SOT-23

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CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz

이득

9.6dB ~ 13.5dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

NE68119-A

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

이득

10dB

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

BF959RL1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

700MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

이득

-

전력-최대

625mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BFS17WH6327XTSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

1.4GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.5dB ~ 5dB @ 800MHz

이득

-

전력-최대

280mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3V

주파수-전환

14GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

이득

-

전력-최대

90mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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