MRF085HR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF085HR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF085HR5 |
| 설명 | RF MOSFET LDMOS 50V NI-650H-4L |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,244 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF085HR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF085HR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF085HR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 1.8MHz ~ 1.215GHz |
| 이득 | 25.6dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | 7µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 85W |
| 전압-정격 | 133V |
| 패키지 / 케이스 | NI-650H-4L |
| 공급자 장치 패키지 | NI-650H-4L |
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제조업체 Microwave Technology Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 MESFET 주파수 500MHz ~ 18GHz 이득 6.5dB 전압-테스트 3V 전류 정격 (Amps) 120mA 소음 수치 1.8dB 현재-테스트 30mA 전원-출력 24.5dBm 전압-정격 5V 패키지 / 케이스 Nonstandard SMD 공급자 장치 패키지 73 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz 이득 12.5dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 25mA 전원-출력 4W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-200Z 공급자 장치 패키지 NI-200Z |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.81GHz ~ 2.17GHz 이득 31.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 40mA 전원-출력 4W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1212-3 공급자 장치 패키지 16-HSOP |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 700MHz ~ 1.3GHz 이득 20.6dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 650W 전압-정격 105V 패키지 / 케이스 SOT-979A 공급자 장치 패키지 NI-1230-4H |
