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MRF21010LSR5

MRF21010LSR5

참조 용

부품 번호 MRF21010LSR5
PNEDA 부품 번호 MRF21010LSR5
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,544
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF21010LSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF21010LSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF21010LSR5, MRF21010LSR5 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 434.33 KB)
PDFMRF21010LSR1 데이터 시트 표지
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MRF21010LSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득13.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력10W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-360S
공급자 장치 패키지NI-360S

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CE3521M4

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

20GHz

이득

11.9dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

1.05dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

125mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

4-Super Mini Mold

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

15.3dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

810mA

전원-출력

580W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

BF510,215

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

100MHz

이득

-

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

5mA

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

17.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

33W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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