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MRF281SR1

MRF281SR1

참조 용

부품 번호 MRF281SR1
PNEDA 부품 번호 MRF281SR1
설명 FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,038
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF281SR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF281SR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF281SR1, MRF281SR1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 415.95 KB)
PDFMRF281ZR1 데이터 시트 표지
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MRF281SR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz
이득12.5dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트25mA
전원-출력4W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-200S
공급자 장치 패키지NI-200S

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LDMOS

주파수

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이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-34288G-4/2

공급자 장치 패키지

H-34288G-4/2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

960MHz ~ 1.22GHz

이득

19.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

112V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S GW

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S GULL

PTFA081501F V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

900MHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-31248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

500W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

32.5A

소음 수치

-

현재-테스트

1.08A

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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