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MRF5P21180HR5

MRF5P21180HR5

참조 용

부품 번호 MRF5P21180HR5
PNEDA 부품 번호 MRF5P21180HR5
설명 FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,582
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5P21180HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5P21180HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5P21180HR5, MRF5P21180HR5 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 444.85 KB)
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MRF5P21180HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.16GHz
이득14dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력38W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-1230
공급자 장치 패키지NI-1230

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28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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현재-테스트

1.6A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1120B

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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주파수

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

19W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

PD57060TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

14.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

56W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

OM-780-2G

공급자 장치 패키지

OM-780-2 Gull

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.3GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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