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MRF5S18060NR1

MRF5S18060NR1

참조 용

부품 번호 MRF5S18060NR1
PNEDA 부품 번호 MRF5S18060NR1
설명 FET RF 1.88GHZ TO-270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,016
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S18060NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S18060NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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MRF5S18060NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수1.88GHz
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력60W
전압-정격-
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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이득

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

700W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT-1204-2

공급자 장치 패키지

4-HSOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

360mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

BLP10H610Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

60mA

전원-출력

10W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

12-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-HVSON (6x5)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8MHz ~ 250MHz

이득

21.1dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

115W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IXZ318N50

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

19A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

880W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

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