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MRF5S19100HSR3

MRF5S19100HSR3

참조 용

부품 번호 MRF5S19100HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF5S19100HSR3
설명 FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,042
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S19100HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S19100HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S19100HSR3, MRF5S19100HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 870.24 KB)
PDFMRF5S19100HSR5 데이터 시트 표지
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MRF5S19100HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz ~ 1.99GHz
이득13.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1A
전원-출력22W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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시리즈

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이득

30.5dB

전압-테스트

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전류 정격 (Amps)

30mA

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12mA

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시리즈

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트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

500MHz

이득

26dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

12.5V

패키지 / 케이스

SC-61AA

공급자 장치 패키지

SMQ

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.3GHz

이득

22.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

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