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MRF5S21045NBR1

MRF5S21045NBR1

참조 용

부품 번호 MRF5S21045NBR1
PNEDA 부품 번호 MRF5S21045NBR1
설명 FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,196
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S21045NBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S21045NBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S21045NBR1, MRF5S21045NBR1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,003.12 KB)
PDFMRF5S21045NR1 데이터 시트 표지
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MRF5S21045NBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.12GHz
이득14.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트500mA
전원-출력10W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-272BB
공급자 장치 패키지TO-272 WB-4

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주파수

3.1GHz ~ 3.5GHz

이득

11.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

9mA

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ATF-521P8-TR1

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

17dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

200mA

전원-출력

26.5dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-LPCC (2x2)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

13.1dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

330W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

ATF-521P8-TR2

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

17dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

200mA

전원-출력

26.5dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-LPCC (2x2)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.4GHz ~ 3.6GHz

이득

16.1dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

291mA

전원-출력

180W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

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