MRF5S21100HR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF5S21100HR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF5S21100HR3 |
| 설명 | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,056 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF5S21100HR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF5S21100HR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF5S21100HR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.16GHz ~ 2.17GHz |
| 이득 | 13.5dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.05A |
| 전원-출력 | 23W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-957A |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780H-2L |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 150MHz 이득 11dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 1mA 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 150W 전압-정격 170V 패키지 / 케이스 M174 공급자 장치 패키지 M174 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 400MHz 이득 30dB 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 0.9dB 현재-테스트 12mA 전원-출력 - 전압-정격 6V 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 SOT-143B |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 19.5dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 950mA 전원-출력 20W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-270AB 공급자 장치 패키지 TO-270 WB-4 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 960MHz 이득 19.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 650mA 전원-출력 25W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 H-36265-2 공급자 장치 패키지 H-37265-2 |
