MRF5S21150HSR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF5S21150HSR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF5S21150HSR5 |
| 설명 | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,704 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF5S21150HSR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF5S21150HSR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF5S21150HSR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 이득 | 12.5dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.3A |
| 전원-출력 | 33W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-880S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-880S |
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 SOT539A 공급자 장치 패키지 SOT539A |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 860MHz 이득 19dB 전압-테스트 40V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 500mA 전원-출력 100W 전압-정격 89V 패키지 / 케이스 SOT467C 공급자 장치 패키지 SOT467C |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.88GHz 이득 16.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 700mA 전원-출력 58W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230-4LS2L 공급자 장치 패키지 NI-1230-4LS2L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 175MHz 이득 13dB 전압-테스트 7.5V 전류 정격 (Amps) 4A 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 8W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 PLD-1.5 공급자 장치 패키지 PLD-1.5 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 400MHz 이득 29dB 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 30mA 소음 수치 1dB 현재-테스트 15mA 전원-출력 - 전압-정격 10V 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 SOT-143B |
