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MRF5S9070NR5

MRF5S9070NR5

참조 용

부품 번호 MRF5S9070NR5
PNEDA 부품 번호 MRF5S9070NR5
설명 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2
제조업체 NXP
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재고 있음 7,614
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MRF5S9070NR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S9070NR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S9070NR5, MRF5S9070NR5 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 598.14 KB)
PDFMRF5S9070NR5 데이터 시트 표지
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MRF5S9070NR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득17.8dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트600mA
전원-출력14W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270AA
공급자 장치 패키지TO-270-2

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주파수

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이득

15dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

1.8A

소음 수치

3.1dB

현재-테스트

500mA

전원-출력

12W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

440166

공급자 장치 패키지

440166

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1120B

공급자 장치 패키지

LDMOST

3SK292(TE85R,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

500MHz

이득

26dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

12.5V

패키지 / 케이스

SC-61AA

공급자 장치 패키지

SMQ

PTFA181001GL V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

PG-63248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

125W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

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