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MRF5S9080NR1

MRF5S9080NR1

참조 용

부품 번호 MRF5S9080NR1
PNEDA 부품 번호 MRF5S9080NR1
설명 FET RF 65V 960MHZ TO-270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,546
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S9080NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S9080NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S9080NR1, MRF5S9080NR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 812.63 KB)
PDFMRF5S9080NR1 데이터 시트 표지
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MRF5S9080NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18.5dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트600mA
전원-출력80W
전압-정격65V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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ON Semiconductor

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30mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.62A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

PTFB193408SVV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.65A

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-34275G-6/2

공급자 장치 패키지

H-34275G-6/2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

32.5A

소음 수치

-

현재-테스트

1.08A

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

PD55003L-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

19dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

40V

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