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MRF5S9150HSR5

MRF5S9150HSR5

참조 용

부품 번호 MRF5S9150HSR5
PNEDA 부품 번호 MRF5S9150HSR5
설명 FET RF 68V 880MHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S9150HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S9150HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S9150HSR5, MRF5S9150HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 523.85 KB)
PDFMRF5S9150HSR5 데이터 시트 표지
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MRF5S9150HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득19.7dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.5A
전원-출력33W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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주파수

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이득

15.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

800mA

소음 수치

-

현재-테스트

15mA

전원-출력

500mW

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz ~ 1.215GHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

106V

패키지 / 케이스

SOT-502E

공급자 장치 패키지

CDFM2

PD55008-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

PTF210451F V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

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