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MRF6S18140HSR5

MRF6S18140HSR5

참조 용

부품 번호 MRF6S18140HSR5
PNEDA 부품 번호 MRF6S18140HSR5
설명 FET RF 68V 1.88GHZ NI880S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,370
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S18140HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S18140HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S18140HSR5, MRF6S18140HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 478.34 KB)
PDFMRF6S18140HSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S18140HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.88GHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력29W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-880S
공급자 장치 패키지NI-880S

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

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155W

전압-정격

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패키지 / 케이스

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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LDMOS

주파수

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이득

17.25dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

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전압-정격

105V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

MRF282SR1

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

75mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-200S

공급자 장치 패키지

NI-200S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz

이득

14.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

BLF888B,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

250W

전압-정격

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SOT539A

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