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MRF6S19060MR1

MRF6S19060MR1

참조 용

부품 번호 MRF6S19060MR1
PNEDA 부품 번호 MRF6S19060MR1
설명 FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,730
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S19060MR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S19060MR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S19060MR1, MRF6S19060MR1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 989.97 KB)
PDFMRF6S19060GNR1 데이터 시트 표지
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MRF6S19060MR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트610mA
전원-출력12W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270-4
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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제조업체

Infineon Technologies

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

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2N5486

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

400MHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

4dB

현재-테스트

4mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.5GHz

이득

11.5dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

20W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

NI-360

공급자 장치 패키지

NI-360

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.9GHz

이득

13.3dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

320W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

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