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MRF6S19100HR5

MRF6S19100HR5

참조 용

부품 번호 MRF6S19100HR5
PNEDA 부품 번호 MRF6S19100HR5
설명 FET RF 68V 1.99GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,570
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S19100HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S19100HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S19100HR5, MRF6S19100HR5 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 446.73 KB)
PDFMRF6S19100HSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S19100HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득16.1dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력22W
전압-정격68V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

45W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M243

공급자 장치 패키지

M243

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

4W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

MAGX-001214-650L00

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

27A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

500W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

857MHz ~ 863MHz

이득

20.4dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

270W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel GaAs HJ-FET

주파수

20GHz

이득

11dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

70mA

소음 수치

0.85dB

현재-테스트

6mA

전원-출력

-

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

-

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