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MRF6S21100HR3

MRF6S21100HR3

참조 용

부품 번호 MRF6S21100HR3
PNEDA 부품 번호 MRF6S21100HR3
설명 FET RF 68V 2.17GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,646
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S21100HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S21100HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S21100HR3, MRF6S21100HR3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 724.82 KB)
PDFMRF6S21100HSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S21100HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득15.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트950mA
전원-출력23W
전압-정격68V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

20mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.98GHz ~ 2.01GHz

이득

14.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.4GHz ~ 2.5GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

300W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

ATF-36077-STR

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

12GHz

이득

12dB

전압-테스트

1.5V

전류 정격 (Amps)

45mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

5dBm

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

4-SMD (77 Pack)

공급자 장치 패키지

77

BLF647,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

600MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-540A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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