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MRF6S21100HSR3

MRF6S21100HSR3

참조 용

부품 번호 MRF6S21100HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF6S21100HSR3
설명 FET RF 68V 2.17GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,300
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S21100HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S21100HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S21100HSR3, MRF6S21100HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 724.82 KB)
PDFMRF6S21100HSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S21100HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득15.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트950mA
전원-출력23W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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Ampleon USA Inc.

시리즈

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LDMOS

주파수

2.7GHz ~ 3.1GHz

이득

15dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

3.5A

소음 수치

-

현재-테스트

25mA

전원-출력

6W

전압-정격

60V

패키지 / 케이스

SOT-975C

공급자 장치 패키지

CDFM2

PTFA041501HL V1 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

470MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

PG-64248-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT-1120B

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.88GHz

이득

15.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

580W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

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