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MRF6S23100HR3

MRF6S23100HR3

참조 용

부품 번호 MRF6S23100HR3
PNEDA 부품 번호 MRF6S23100HR3
설명 FET RF 68V 2.4GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S23100HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S23100HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S23100HR3, MRF6S23100HR3 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 450.93 KB)
PDFMRF6S23100HSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S23100HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.4GHz
이득15.4dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1A
전원-출력20W
전압-정격68V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

90W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

PXAC261002FC-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.69GHz

이득

15.1dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

210mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

BG3123H6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual)

주파수

800MHz

이득

25dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

25mA, 20mA

소음 수치

1.8dB

현재-테스트

14mA

전원-출력

-

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.452GHz ~ 1.511GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

400W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

BLF1721M8LS200U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

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