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MRF6S23140HSR3

MRF6S23140HSR3

참조 용

부품 번호 MRF6S23140HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF6S23140HSR3
설명 FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,046
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S23140HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S23140HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S23140HSR3, MRF6S23140HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 474.87 KB)
PDFMRF6S23140HSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S23140HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.39GHz
이득15.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력28W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-880S
공급자 장치 패키지NI-880S

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주파수

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이득

13dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

47.6dBm

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

300W

전압-정격

108V

패키지 / 케이스

SOT1273-1

공급자 장치 패키지

SOT1273-1

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

PD57002S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

250mA

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-6

공급자 장치 패키지

NI-780S-6

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