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MRF6V3090NBR5

MRF6V3090NBR5

참조 용

부품 번호 MRF6V3090NBR5
PNEDA 부품 번호 MRF6V3090NBR5
설명 FET RF 110V 860MHZ TO272-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,448
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V3090NBR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V3090NBR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V3090NBR5, MRF6V3090NBR5 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 717.52 KB)
PDFMRF6V3090NR5 데이터 시트 표지
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MRF6V3090NBR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수860MHz
이득22dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트350mA
전원-출력18W
전압-정격110V
패키지 / 케이스TO-272BB
공급자 장치 패키지TO-272 WB-4

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소음 수치

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현재-테스트

1.6A

전원-출력

38W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

18W

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

TO-272-4

공급자 장치 패키지

TO-272-4

MRF300AN

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

27MHz ~ 250MHz

이득

18.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

300W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz

이득

17.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

680mA

전원-출력

56W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

J309_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

450MHz

이득

12dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

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