MRF6VP21KHR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF6VP21KHR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6VP21KHR5 |
| 설명 | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,994 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6VP21KHR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6VP21KHR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6VP21KHR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 225MHz |
| 이득 | 24dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 150mA |
| 전원-출력 | 1000W |
| 전압-정격 | 110V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.17GHz 이득 18.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 63W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.88GHz 이득 17.6dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 OM-780-2L2L 공급자 장치 패키지 OM-780-2L2L |
