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MRF7P20040HSR3

MRF7P20040HSR3

참조 용

부품 번호 MRF7P20040HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF7P20040HSR3
설명 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,592
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7P20040HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7P20040HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7P20040HSR3, MRF7P20040HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 545.97 KB)
PDFMRF7P20040HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7P20040HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.03GHz
이득18.2dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력10W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S-4
공급자 장치 패키지NI-780S-4

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주파수

3GHz

이득

13dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

60W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

440193

공급자 장치 패키지

440193

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.74A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

470MHz

이득

11.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

70W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

TO-272-8

공급자 장치 패키지

TO-272-8 Wrap

PTFA190451EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

11W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.7dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

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