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MRF7S16150HSR3

MRF7S16150HSR3

참조 용

부품 번호 MRF7S16150HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S16150HSR3
설명 FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,266
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S16150HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S16150HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S16150HSR3, MRF7S16150HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 495.56 KB)
PDFMRF7S16150HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S16150HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.6GHz ~ 1.66GHz
이득19.7dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.5A
전원-출력32W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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현재-테스트

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전원-출력

1400W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.4GHz ~ 2.5GHz

이득

18.6dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

12.5W

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

PTFA212401E V4 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36260-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.17GHz

이득

31dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

4W

전압-정격

65V

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공급자 장치 패키지

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