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MRF7S19210HR3

MRF7S19210HR3

참조 용

부품 번호 MRF7S19210HR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S19210HR3
설명 FET RF 65V 1.99GHZ NI780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,988
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S19210HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S19210HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S19210HR3, MRF7S19210HR3 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 818.57 KB)
PDFMRF7S19210HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S19210HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득20dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력63W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

100MHz ~ 500MHz

이득

10dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1mA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

11dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

500W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

BF998,235

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

-

전압-테스트

8V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

12V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.69GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

56W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1251-2

공급자 장치 패키지

SOT-1251-2

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