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MRF7S21110HSR5

MRF7S21110HSR5

참조 용

부품 번호 MRF7S21110HSR5
PNEDA 부품 번호 MRF7S21110HSR5
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,094
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S21110HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S21110HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S21110HSR5, MRF7S21110HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 796.2 KB)
PDFMRF7S21110HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S21110HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득17.3dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력33W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S
공급자 장치 패키지NI-780S

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

60W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M243

공급자 장치 패키지

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40.68MHz

이득

16dB

전압-테스트

150V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

150W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

T3

ARF444

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CGHV1F006S

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

6GHz

이득

16dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

950mA

소음 수치

-

현재-테스트

60mA

전원-출력

8W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

12-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-DFN (4x3)

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.4GHz ~ 2.5GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

4.2µA

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

500W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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