MRF7S21170HR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF7S21170HR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF7S21170HR3 |
| 설명 | FET RF 65V 2.17GHZ NI-880 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,812 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF7S21170HR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF7S21170HR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF7S21170HR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.17GHz |
| 이득 | 16dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 1.4A |
| 전원-출력 | 50W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-880 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-880 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.69GHz 이득 14.2dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 9W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780-4S4 공급자 장치 패키지 NI-780-4S4 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 21.4dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 450mA 전원-출력 14W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-272BC 공급자 장치 패키지 TO-272-2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 N-Channel (Dual) 주파수 800MHz 이득 23dB 전압-테스트 5V 전류 정격 (Amps) 20mA 소음 수치 1.1dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 - 전압-정격 8V 패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 PG-SOT363-6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.805GHz ~ 1.88GHz 이득 14.8dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 520mA 전원-출력 29W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 H-49248H-4 공급자 장치 패키지 H-49248H-4 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 40.68MHz 이득 16dB 전압-테스트 150V 전류 정격 (Amps) 13A 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 150W 전압-정격 1000V 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 T3 |
