MRF8372GR1
참조 용
| 부품 번호 | MRF8372GR1 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF8372GR1 |
| 설명 | RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,442 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF8372GR1 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF8372GR1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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MRF8372GR1 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 16V |
| 주파수-전환 | 870MHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | 8dB ~ 9.5dB |
| 전력-최대 | 2.2W |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 200mA |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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