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MRF8P9300HR6

MRF8P9300HR6

참조 용

부품 번호 MRF8P9300HR6
PNEDA 부품 번호 MRF8P9300HR6
설명 FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230H
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,718
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8P9300HR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8P9300HR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8P9300HR6, MRF8P9300HR6 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 902.15 KB)
PDFMRF8P9300HR6 데이터 시트 표지
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MRF8P9300HR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수960MHz
이득19.4dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트2.4A
전원-출력100W
전압-정격70V
패키지 / 케이스NI-1230
공급자 장치 패키지NI-1230

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

1.15A

전원-출력

130W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

17A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M252

공급자 장치 패키지

M252

BLP05H6350XRY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

108MHz

이득

27dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

350W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT-1223-2

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

34A

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.45GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

300W

전압-정격

32V

패키지 / 케이스

OM-780-2G

공급자 장치 패키지

OM-780-2 Gull

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