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MRF8S21100HR3

MRF8S21100HR3

참조 용

부품 번호 MRF8S21100HR3
PNEDA 부품 번호 MRF8S21100HR3
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI780H
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,572
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S21100HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S21100HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S21100HR3, MRF8S21100HR3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 496.31 KB)
PDFMRF8S21100HSR5 데이터 시트 표지
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MRF8S21100HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수2.17GHz
이득18.3dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트700mA
전원-출력24W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

PTFC261402FC-V1

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.69GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.35A

전원-출력

44W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

MRF171A

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz ~ 200MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

4.5A

소음 수치

-

현재-테스트

25mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

211-07

공급자 장치 패키지

211-07, Style 2

MMBFJ211

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

20mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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1410-L110-L1F1-S01-4A

1410-L110-L1F1-S01-4A

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