MRF8S26120HR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF8S26120HR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF8S26120HR3 |
| 설명 | FET RF 65V 2.69GHZ NI780 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,668 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF8S26120HR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF8S26120HR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF8S26120HR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 2.69GHz |
| 이득 | 15.6dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 900mA |
| 전원-출력 | 28W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-957A |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780H-2L |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 860MHz 이득 22dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 350mA 전원-출력 18W 전압-정격 120V 패키지 / 케이스 TO-272-4 공급자 장치 패키지 TO-272-4 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual), Common Source 주파수 860MHz 이득 19dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.3A 전원-출력 250W 전압-정격 104V 패키지 / 케이스 SOT-979A 공급자 장치 패키지 CDFM2 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 870MHz 이득 15dB 전압-테스트 7.5V 전류 정격 (Amps) 2A 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 2W 전압-정격 25V 패키지 / 케이스 TO-243AA 공급자 장치 패키지 SOT-89 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 40.68MHz 이득 15dB 전압-테스트 125V 전류 정격 (Amps) 14A 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 - 전압-정격 500V 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247CS |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
