MRF8S7120NR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF8S7120NR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF8S7120NR3 |
| 설명 | FET RF 70V 768MHZ |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,046 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF8S7120NR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF8S7120NR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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MRF8S7120NR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 768MHz |
| 이득 | 19.2dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 600mA |
| 전원-출력 | 32W |
| 전압-정격 | 70V |
| 패키지 / 케이스 | OM-780-2 |
| 공급자 장치 패키지 | OM-780-2 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.17GHz 이득 18.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 63W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 3.5GHz 이득 12dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 200W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-502B 공급자 장치 패키지 SOT502B |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.48GHz ~ 1.51GHz 이득 22.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 375mA 전원-출력 2.5W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1135B 공급자 장치 패키지 SOT1135B |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 40.68MHz 이득 16dB 전압-테스트 150V 전류 정격 (Amps) 13A 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 150W 전압-정격 1000V 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 T3 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 3GHz ~ 3.5GHz 이득 14.5dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 50mA 전원-출력 10W 전압-정격 150V 패키지 / 케이스 SOT-1227A 공급자 장치 패키지 CDFM2 |
