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MRF9002NR2

MRF9002NR2

참조 용

부품 번호 MRF9002NR2
PNEDA 부품 번호 MRF9002NR2
설명 FET RF 65V 960MHZ 16-PFP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,384
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 12 - 3월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF9002NR2 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF9002NR2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF9002NR2, MRF9002NR2 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 429.94 KB)
PDFMRF9002NR2 데이터 시트 표지
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MRF9002NR2 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트25mA
전원-출력37dBm
전압-정격65V
패키지 / 케이스16-SOP (0.276", 7.00mm Width)
공급자 장치 패키지16-PFP

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.06GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

300W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

BLF10M6LS160U

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

922.5MHz ~ 957.5MHz

이득

22.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.14GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

48W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8MHz ~ 470MHz

이득

24dB

전압-테스트

65V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

1800W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

OM-1230-4L

공급자 장치 패키지

OM-1230-4L

BPS9G2933X-450Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.9GHz ~ 3.3GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

450W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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