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MRF9002NR2

MRF9002NR2

참조 용

부품 번호 MRF9002NR2
PNEDA 부품 번호 MRF9002NR2
설명 FET RF 65V 960MHZ 16-PFP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,384
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 3 - 1월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF9002NR2 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF9002NR2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF9002NR2, MRF9002NR2 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 429.94 KB)
PDFMRF9002NR2 데이터 시트 표지
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MRF9002NR2 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트25mA
전원-출력37dBm
전압-정격65V
패키지 / 케이스16-SOP (0.276", 7.00mm Width)
공급자 장치 패키지16-PFP

관심을 가질만한 제품

BLP05H6150XRY

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

108MHz

이득

27dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

150W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT-1223-2

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

BPS9G2933X-450Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.9GHz ~ 3.3GHz

이득

12dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

450W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

PTFA210601F V4 R250

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

2SK209-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

1kHz

이득

-

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

1dB

현재-테스트

500µA

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59

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