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MRF9030NBR1

MRF9030NBR1

참조 용

부품 번호 MRF9030NBR1
PNEDA 부품 번호 MRF9030NBR1
설명 FET RF 65V 945MHZ TO272-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,092
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF9030NBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF9030NBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF9030NBR1, MRF9030NBR1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 526.72 KB)
PDFMRF9030NBR1 데이터 시트 표지
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MRF9030NBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수945MHz
이득20dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트250mA
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스TO-270-2
공급자 장치 패키지TO-270-2

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

821MHz

이득

19.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.15A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-34288-4/2

BLC9G10XS-120AZ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

920MHz ~ 960MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

120mA

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1273-1

공급자 장치 패키지

SOT1273-1

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

58W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.16GHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.05A

전원-출력

23W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

PD85050S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

12dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

55W

전압-정격

50V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

공급자 장치 패키지

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