MRFE6VP5600HSR6
참조 용
| 부품 번호 | MRFE6VP5600HSR6 |
| PNEDA 부품 번호 | MRFE6VP5600HSR6 |
| 설명 | FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,880 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRFE6VP5600HSR6 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRFE6VP5600HSR6 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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MRFE6VP5600HSR6 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 230MHz |
| 이득 | 25dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | 600W |
| 전압-정격 | 130V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230-4S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230-4S |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.03GHz 이득 16dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 400mA 전원-출력 20W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4 공급자 장치 패키지 NI-780S-4 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 860MHz 이득 18.2dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 200mA 전원-출력 75W 전압-정격 70V 패키지 / 케이스 NI-360 공급자 장치 패키지 NI-360 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.7GHz ~ 3.1GHz 이득 13.5dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) 33A 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 120W 전압-정격 60V 패키지 / 케이스 SOT-502A 공급자 장치 패키지 LDMOST |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.98GHz ~ 2.01GHz 이득 14.8dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 550mA 전원-출력 37W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4 공급자 장치 패키지 NI-780S-4 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.03GHz 이득 18.2dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 1300W 전압-정격 105V 패키지 / 케이스 SOT-979A 공급자 장치 패키지 NI-1230-4H |
