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MRFE6VP6300HSR3

MRFE6VP6300HSR3

참조 용

부품 번호 MRFE6VP6300HSR3
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP6300HSR3
설명 FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,452
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP6300HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP6300HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP6300HSR3, MRFE6VP6300HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,045.43 KB)
PDFMRFE6VP6300HSR3 데이터 시트 표지
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MRFE6VP6300HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득26.5dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력300W
전압-정격130V
패키지 / 케이스NI-780S-4
공급자 장치 패키지NI-780S-4

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.66GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

170W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-30275-4

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

65A

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

70W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

MMBFJ211

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

20mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

PD57045-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

SD57030-01

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M250

공급자 장치 패키지

M250

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