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MRFG35002N6R5

MRFG35002N6R5

참조 용

부품 번호 MRFG35002N6R5
PNEDA 부품 번호 MRFG35002N6R5
설명 FET RF 8V 3.55GHZ
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,500
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 24 - 4월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFG35002N6R5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35002N6R5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35002N6R5, MRFG35002N6R5 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 232.2 KB)
PDFMRFG35002N6T1 데이터 시트 표지
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MRFG35002N6R5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득10dB
전압-테스트6V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트65mA
전원-출력1.5W
전압-정격8V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

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전압-테스트

28V

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-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

120W

전압-정격

84V

패키지 / 케이스

440095

공급자 장치 패키지

440095

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

10dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

9W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.88GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

280W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

OM-880X-2L2L

공급자 장치 패키지

OM-880X-2L2L

SD56150

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

17A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M252

공급자 장치 패키지

M252

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

220MHz

이득

23.9dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

30mA

전원-출력

10W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-272-2

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