MRFG35005NT1
참조 용
| 부품 번호 | MRFG35005NT1 |
| PNEDA 부품 번호 | MRFG35005NT1 |
| 설명 | FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,444 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRFG35005NT1 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRFG35005NT1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRFG35005NT1 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | pHEMT FET |
| 주파수 | 3.55GHz |
| 이득 | 11dB |
| 전압-테스트 | 12V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 80mA |
| 전원-출력 | 4.5W |
| 전압-정격 | 15V |
| 패키지 / 케이스 | PLD-1.5 |
| 공급자 장치 패키지 | PLD-1.5 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.7GHz 이득 16.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.5A 전원-출력 23W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 pHEMT FET 주파수 3.55GHz 이득 10.8dB 전압-테스트 12V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 55mA 전원-출력 3W 전압-정격 15V 패키지 / 케이스 PLD-1.5 공급자 장치 패키지 PLD-1.5 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.2GHz 이득 11dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) 2.2A 소음 수치 - 현재-테스트 85mA 전원-출력 10W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT467C 공급자 장치 패키지 SOT467C |
