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MRFG35010NT1

MRFG35010NT1

참조 용

부품 번호 MRFG35010NT1
PNEDA 부품 번호 MRFG35010NT1
설명 FET RF 15V 3.55GHZ 1.5-PLD
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFG35010NT1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFG35010NT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFG35010NT1, MRFG35010NT1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 203.57 KB)
PDFMRFG35010NT1 데이터 시트 표지
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MRFG35010NT1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수3.55GHz
이득10dB
전압-테스트12V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트180mA
전원-출력9W
전압-정격15V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

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이득

22dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

64A

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

871.5MHz ~ 891.5MHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

49A

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

LET9045STR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

45W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

20.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

27W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

PTFA041501F-V4-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

470MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-37248-2

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Eaton - Electronics Division

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