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MS1612

MS1612

참조 용

부품 번호 MS1612
PNEDA 부품 번호 MS1612
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,176
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MS1612 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MS1612
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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MS1612 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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주파수-전환

14.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

1.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

이득

14dB @ 200MHz

전력-최대

350W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

1.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

5 PNP

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

5.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

이득

-

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V, 10V

주파수-전환

22GHz, 9GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

이득

14.5dB

전력-최대

200mW, 250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA, 70mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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