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MS2348

MS2348

참조 용

부품 번호 MS2348
PNEDA 부품 번호 MS2348
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,330
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MS2348 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MS2348
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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MS2348 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

16dB

전력-최대

360mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 80mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

250mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

이득

11.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

MS1227

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

18V

주파수-전환

30MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

15dB

전력-최대

80W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

4.5A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M113

공급자 장치 패키지

M113

MDS150

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

주파수-전환

1.03GHz ~ 1.09GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

10dB

전력-최대

350W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55AW

공급자 장치 패키지

55AW

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