MS2870
참조 용
| 부품 번호 | MS2870 |
| PNEDA 부품 번호 | MS2870 |
| 설명 | RF POWER TRANSISTOR |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,102 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MS2870 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MS2870 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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MS2870 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| 주파수-전환 | - |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | - |
| 전력-최대 | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 65V 주파수-전환 1.025GHz ~ 1.15GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 10dB 전력-최대 87.5W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 1.5A 작동 온도 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 M115 공급자 장치 패키지 M115 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 2.7GHz ~ 3.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 8.7dB 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 1.1GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 5mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 10V 주파수-전환 1.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.6dB @ 0.4GHz 이득 13dB @ 0.4GHz 전력-최대 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 70mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 3-CP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
