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MSM56V16160K8T3K

MSM56V16160K8T3K

참조 용

부품 번호 MSM56V16160K8T3K
PNEDA 부품 번호 MSM56V16160K8T3K
설명 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,004
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MSM56V16160K8T3K 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MSM56V16160K8T3K
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MSM56V16160K8T3K, MSM56V16160K8T3K 데이터 시트 (총 페이지: 41, 크기: 591.06 KB)
PDFMSM56V16160K8T3K 데이터 시트 표지
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MSM56V16160K8T3K 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기16Mb (512K x 16 x 2)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수125MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간6ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지50-TSOP II

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-UDFN-EP (2x3)

W631GU6MB-15 TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-VFBGA

공급자 장치 패키지

96-VFBGA (7.5x13)

A2C00045230 A

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

AT28C256F-15TU

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

공급자 장치 패키지

28-TSOP

IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, SDI, DTR

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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