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MT28F320J3FS-11 GMET TR

MT28F320J3FS-11 GMET TR

참조 용

부품 번호 MT28F320J3FS-11 GMET TR
PNEDA 부품 번호 MT28F320J3FS-11-GMET-TR
설명 IC FLASH 32M PARALLEL 64FBGA
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT28F320J3FS-11 GMET TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT28F320J3FS-11 GMET TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MT28F320J3FS-11 GMET TR, MT28F320J3FS-11 GMET TR 데이터 시트 (총 페이지: 55, 크기: 784.78 KB)
PDFMT28F640J3RP-115 MET TR 데이터 시트 표지
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MT28F320J3FS-11 GMET TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기32Mb (4M x 8, 2M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간110ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스64-FBGA
공급자 장치 패키지64-FBGA (10x13)

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

AT28C64-15PI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-PDIP

FM24CL64B-DG

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

550ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-TDFN (4x4.5)

CY7C1312CV18-250BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

RD28F1604C3BD70A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, SRAM

메모리 크기

16Mbit Flash, 4Mbit RAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.3V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

66-LFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

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