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MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR

MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR

참조 용

부품 번호 MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR
PNEDA 부품 번호 MT29C8G96MAAFBACKD-5-WT-TR
설명 IC FLASH RAM 8G PARALLEL 200MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH, RAM
기술FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
메모리 크기8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

RAM

기술

SGRAM - GDDR5

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.75GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

170-TFBGA

공급자 장치 패키지

170-FBGA (12x14)

71256L35TDB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

28-CDIP

S71WS256PC0HH3YR3

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

WS-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, PSRAM

메모리 크기

256Mbit Flash, 64Mbit RAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-FBGA (11.6x8)

BR25L080F-WE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

8Gb (512M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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