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MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

참조 용

부품 번호 MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR
PNEDA 부품 번호 MT29E6T08ETHBBM5-3-B-TR
설명 IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 5,058
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기6Tb (768G x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-VSOP

MT25QU128ABA8E14-0SIT TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 2.8ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

W25Q32FVSSJF TR

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS42S32400F-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

86-TSOP II

IS61LV12824-8BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

3Mb (128K x 24)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ns

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

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