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MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR

MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR

참조 용

부품 번호 MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR
PNEDA 부품 번호 MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES-B-TR
설명 IC FLASH 1.5T PARALLEL 267MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
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MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR
분류반도체메모리 IC기억

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MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기1.5Tb (192G x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지132-VBGA (12x18)

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Etron Technology, Inc.

제조업체

Etron Technology, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512M (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (8x10)

S29PL064J60BFW123

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

PL-J

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

60ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (8.15x6.15)

IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-TFBGA

공급자 장치 패키지

36-TFBGA (6x8)

MTFC64GJDDN-4M IT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

169-LFBGA

공급자 장치 패키지

169-LFBGA (14x18)

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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