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MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

참조 용

부품 번호 MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B
PNEDA 부품 번호 MT29F1T08CMHBBJ4-3R-B
설명 IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ
제조업체 Micron Technology Inc.
단가
1 ---------- $1,640.0733
50 ---------- $1,563.1949
100 ---------- $1,486.3165
200 ---------- $1,409.4380
400 ---------- $1,345.3727
500 ---------- $1,281.3073
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MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B
분류반도체메모리 IC기억

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MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기1Tb (128G x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지132-VBGA (12x18)

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

5MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

IS42SM32800E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-TFBGA (8x13)

IS43DR86400D-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

450ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TWBGA (8x10.5)

AT25F512AN-10SU-2.7

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

CY7C1520KV18-333BZXI

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Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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